Description
GaN (nitrure de gallium)Technologie de refroidissement avec matériau semi-conducteur de troisième génération.
Le GaN est un matériau semi-conducteur innovant, couramment utilisé dans l'industrie aérospatiale et dans l'armée. Conductivité exceptionnelle et résistance aux températures élevées, aux acides et aux alcalis. Le chargeur est non seulement léger et petit, mais il présente également des avantages en termes de conversion de puissance par rapport aux chargeurs non GaN avec la même puissance.
Caractéristiques :
Nom du produit: Mi 65 W Fast Charger with GaN Tech
Type de port : Type C
Paramètres de sortie : 5 V ⎓ 3 A 9 V ⎓ 3 A 10 V ⎓ 5 A 12 V ⎓ 3 A 15 V ⎓ 3 A 20 V ⎓ 3,25 A 65 W MAX
Température de fonctionnement de : 0 °C à 40 °C
Modèle de produit : AD65GEU
Paramètres d'entrée : 100–240 V 50/60 Hz 1,7 A
Dimensions du produit :30,8 x 30,8 x 56,3 mm
Produit conforme aux normes : GB 17625.1-2012 GB 4943.1-2011 GB/T 9254-2008
